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          HJT電池工藝路線 HJT電池工藝路線
          HJT電池工藝路線
          異質結HJT（Hetero-junction with Intrinsic Thin-layer）電池, 是以N型單晶硅(C-Si)為襯底光吸收區，經過制絨清洗后，其正面依次沉積厚度為5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H)和摻雜的P型非晶硅(P-a-Si:H)； 硅片的背面又通過沉積厚度為5-10nm的i-a-Si:H和摻雜的N型非晶硅(n-a-Si:H)形成背表面場，雙面沉積的透明導電氧化物薄膜(TCO)，最后通過絲網印刷在兩側的頂層形成金屬基電極，即為異質結電池的典型結構。
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